IBM meldet Durchbruch bei Hochleistungs-Chips

Forschern von Samsung, IBM und Global Foundries ist es gelungen, extrem leistungsstarke Transistoren zu entwickeln

Forschern von Samsung, IBM und Global Foundries ist es gelungen, extrem leistungsstarke Halbleiter-Transistoren zu entwickeln. Bei diesen handelt es sich um übereinander gestapelte Schichten von Nanostrukturen, die eine um 40 Prozent höhere Leistungsfähigkeit verglichen mit herkömmlichen Transistoren aufweisen. Auf diese Weise ist es möglich, entsprechend leistungsfähigere Computerchips zu entwickeln. Andererseits sinkt bei gleicher Leistungsfähigkeit die Leistungsaufnahme um 75 Prozent, berichtet das Magazin Wired.

Bislang wird vor allem Silizium für den Bau der Transistoren verwendet, dessen physikalische Leistungsfähigkeit jedoch langsam an Grenzen stößt. Mit den entwickelten, weitaus kleineren, Kohlenstoff-Röhren wollen Samsung, IBM und Global Foundries Silizium ersetzen.

„Das ist ein großer Durchbruch. Wenn ich die Transistoren verkleinern kann, dann passen mehr Transistoren auf einen Chip und dieser besitzt mehr Rechenleistung“, sagt Dan Hutcheson von VLSI Research. „In diesem Fall steigt die Anzahl der Transistoren von rund 20 Milliarden bei einem 7-Nanometer-Prozessor auf rund 30 Milliarden bei einem 5-Nanometer-Prozessor.“

Die neuen Chips könnten die Basis für die Massentauglichkeit aktuelle in der Entwicklung befindlicher Technologien wie selbstfahrende Autos oder künstliche Intelligenz sein. Diese benötigen extrem leistungsstarke Chips, deren Preis bislang eine massentaugliche Vermarktung ausschloss. Auch die Automatisierung und Digitalisierung der Produktion – zusammengefasst unter dem Schlagwort „Industrie 4.0“ – dürfte profitieren.

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